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真空电镀设备厂家讲述真空镀膜机的镀膜技术的类型

发布来源:东莞市光键塑胶制品有限公司  发布日期: 2021-03-08  访问量:0

真空镀膜机镀膜一般真空镀膜是指用物理的方法堆积薄膜。真空镀膜机镀膜方法有三种方式,即蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀。

蒸发镀膜:通过加热蒸发某种物质使其堆积在固体表面,称为蒸发镀膜。现代已成为常用镀膜技术之一。

蒸发源有三种类型:

 ①电阻加热源:用难熔金属如钨、钽制成舟箔或丝状,通以电流,加热在它上方的或置于坩埚中的蒸发物质。电阻加热源首要用于蒸发Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料;

②高频感应加热源:用高频感应电流加热坩埚和蒸发物质;

③电子束加热源:适用于蒸发温度较高(不低于2000[618-1])的材料,即用电子束轰击材料使其蒸发。

 蒸发镀膜与其他真空镀膜方法比较,具有较高的堆积速率,可镀制单质和不易热分化的化合物膜。

真空电镀

溅射镀膜:用高能粒子轰击固体表面时能使固体表面的粒子取得能量并逸出表面,堆积在基片上。一般将欲堆积的材料制成板材──靶,固定在阴极上。基片置于正对靶面的阳极上,距靶几厘米。系统抽至高真空后充入10~1帕的气体(一般为氩气),在阴极和阳极间加几千伏电压,南北极间即发生辉光放电。放电发生的正离子在电场效果下飞向阴极,与靶表面原子磕碰,受磕碰从靶面逸出的靶原子称为溅射原子,其能量在1至几十电子伏规模。溅射原子在基片表面堆积成膜。与蒸发镀膜不同,溅射镀膜不受膜材熔点的束缚,可溅射W、Ta、C、Mo、WC、TiC等难熔物质。溅射化合物膜可用反应溅射法,将反应气体(O

、N、HS、CH等)参加Ar气中,反应气体及其离子与靶原子或溅射原子发生反应生成化合物(如氧化物、氮化物等)而堆积在基片上。堆积绝缘膜可选用高频溅射法。基片装在接地的电极上,绝缘靶装在对面的电极上。高频电源一端接地,一端通过匹配网络和隔直流电容接到装有绝缘靶的电极上。接通高频电源后,高频电压不断改动极性。等离子体中的电子和正离子在电压的正半周和负半周分别打到绝缘靶上。由于电子迁移率高于正离子,绝缘靶表面带负电,在到达动态平衡时,靶处于负的偏置电位,从而使正离子对靶的溅射继续进行。选用磁控溅射可使堆积速率比非磁控溅射进步近一个数量级。

离子镀:蒸发物质的分子被电子磕碰电离后以离子堆积在固体表面,称为离子镀。离子镀是真空蒸发与阴极溅射技术的结合。将基片台作为阴极,外壳作阳极,充入惰性气体(如氩)以发生辉光放电。从蒸发源蒸发的分子通过等离子区时发生电离。正离子被基片台负电压加速打到基片表面。未电离的中性原子(约占蒸发料的95%)也堆积在基片或真空室壁表面。电场对离化的蒸气分子的加速效果(离子能量约几百~几千电子伏)和氩离子对基片的溅射清洗效果,使膜层附着强度大大进步。离子镀工艺概括了蒸发(高堆积速率)与溅射(良好的膜层附着力)工艺的特点,并有很好的绕射性,可为形状杂乱的工件镀膜。

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